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簡要描述：本安型計算機電纜，適用于石油、化工、電力、煤氣工程、礦山等存在爆炸危險的場合以及其它防爆安全要求較高的場合，傳輸自動控制信號。
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時間：2024-10-31訪 問 量：1742相關(guān)文章
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本安型計算機電纜
本安計算機用屏蔽電纜（或稱本安DCS系統(tǒng)用電纜）適用于石油、化工、電力、煤氣工程、礦山等存在爆炸危險的場合以及其它防爆安全要求較高的場合，傳輸自動控制信號。該電纜具有低電容、低電感集散型儀表信號電纜，簡稱本安DCS系統(tǒng)用電纜，具有優(yōu)異的屏蔽性能和抗干擾性能，因此防爆安全性能明顯高于一般DCS系統(tǒng)電纜和計算機控制電纜。
使用特性
1、交流額定電壓U0/U：300/500V
2、電纜導(dǎo)體長期允許最高工作溫度：聚氯乙烯絕緣為70℃；交聯(lián)聚乙烯絕緣為90℃；無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣為70℃。
3、最l低環(huán)境溫度：固定敷設(shè)-40℃；非固定敷設(shè)-15℃；安裝敷設(shè)時環(huán)境溫度：不低于0℃。
4、電纜允許彎曲半徑：非鎧裝、編織屏蔽電纜不小于電纜外徑的6倍；銅帶屏蔽、鎧裝電纜不小于電纜外徑的12倍。
■ 本安型計算機電纜 基本型號 |
型號 | 名稱 |
IA-DJYPVP | 聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS電纜 |
IA-DJYPVPR | 聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
IA-DJYP3VP3 | 聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復(fù)合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜 |
IA-DJYP3VP3R | 聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復(fù)合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
IA-DJYP2VP2 | 聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復(fù)合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜 |
IA-DJYP2VP2R | 聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復(fù)合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
IA-DJYJPVP | 交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS電纜 |
IA-DJYJPVPR | 交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
IA-DJYJP3VP3 | 交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復(fù)合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜 |
IA-DJYJP3VP3R | 交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復(fù)合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
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WDZ-IA-DJYPVP | 無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅線編織分屏總屏本安DCS電纜 |
WDZ-IA-DJYPVPR | 無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
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WDZ-IA-DJYP2VP2 | 無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅塑復(fù)合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜 |
WDZ-IA-DJYP2VP2R | 無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅塑復(fù)合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
■ 規(guī)格范圍 |
對數(shù)：1-24對
每對芯數(shù)：二芯（稱二線組），三芯（稱三線組）
導(dǎo)體截面：0.5、0.75、1.0、1.5、2.5
■ 技術(shù)參數(shù) |
1、20℃導(dǎo)體直流電阻及導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
標稱截面（mm2） | 導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（根數(shù)/單絲直徑mm） | 20℃直流電阻≤（Ω/km） | |||
A類 | B類 | R類 | A、B類 | R類 | |
0.5 | 1/0.8 | 7/0.3 | 16/0.2 | ≤36.0 | ≤39.0 |
0. 75 | 1/0.97 | 7/0.37 | 24/0.2 | ≤24.5 | ≤26.0 |
1.0 | 1/1.13 | 7/0.43 | 32/0.2 | ≤18.1 | ≤19.5 |
1.5 | 1/1.38 | 7/0.52 | 30/0.25 | ≤12.1 | ≤13.3 |
2.5 | 1/1.78 | 7/0.68 | 49/0.25 | ≤7.41 | ≤7.98 |
2、20℃絕緣電阻
性能項目 | PVC絕緣 | PE、XLPE絕緣 |
20℃時絕緣電阻MΩ.KM | ≥25 | ≥500 |
3、電纜應(yīng)經(jīng)受工頻交流電壓試驗：2000V/1min絕緣不發(fā)生擊穿，試驗溫度為環(huán)境溫度。
4、工作電容（1KHZ）：線芯與線芯≤90PF/m
5、分布電容（1KHZ）≤0.6μH/m
6、電磁干擾感應(yīng)電壓（干擾磁場400A/m）≤5mV
7、靜電感應(yīng)電壓（靜電電壓20KV）＜1V
8、輻射場透入強度（干擾場強120dBμV，干擾場頻率200MHZ）≤dBμV
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